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IC设计前沿系列讲座之余蓓博士学术报告

( 2015-08-24 )
2015年8月21日下午,应电子科学技术系陈松副教授邀请,香港中文大学计算机科学与工程系助理教授余蓓,在微纳中心713会议室为科大师生带来了一场题为"Design for Manufacturability and Reliability in Extreme Scaling"的精彩讲座。

  在摩尔定律的引领下,半导体工艺尺寸持续减小,已经到10nm以下,对传统光刻技术提出了全面挑战。在本次讲座中,余蓓博士以其数年来在国际顶级期刊及会议,如IEEE Trans. On CAD, ICCAD, ASPDAC等发表的原创性成果为基础,介绍了光刻工艺的现状和挑战,并从设计的可制造性和设计的可靠性两个方面详尽地介绍了数字版图设计的关键技术,包括采用多层掩膜版光刻工艺技术(Multiple Patterning Lithography),即在传统工艺中由一层掩膜版光刻,由两层甚至更多层掩膜版来完成。余蓓博士同时还介绍了,如何在版图中快速有效的检测出热点缺陷(Hotspot Detect,一些特殊的电路版图结构在投片的时候会容易形成短路和断路)。

  

  

  余博士的讲座内容生动而新颖,让大家及时地了解到了该领域的最新进展。大家纷纷针对报告内容进行了提问与咨询,余博士对大家的提问一一做出了解答。

  讲座人简介:

  余蓓,德克萨斯大学奥斯汀分校(UT Austin)博士,清华大学硕士,目前为香港中文大学计算机科学与工程学系助理教授。余蓓博士目前的研究方向主要包括,超大规模集成电路计算机辅助设计,硬件安全,机器学习,组合优化算法等。

  余蓓博士近年来已在电子设计自动化领域的顶级期刊和会议上发表过几十篇论文,并获得ICCAD’13 和 ASPDAC’12最佳论文奖,DAC’14, ASPDAC’13 和 ICCAD’11最佳论文提名奖。余蓓博士,曾获得2012年 IBM 博士奖学金,2013年 SPIE 奖学金,并在2015年获得 EDDA (European Design and (Design) Automation Association) 最佳博士论文奖。


 
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